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皇冠代理登录:第三版HBM2记忆体标准公布 单组堆叠容量可达24GB 三星、海力士已着手生产

约稿员 科技 2020-02-05 47 0
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三星与海力士都已经着手生产采第三版标准设计的HBM2记忆体,并且以HBM2E形式为称,其中由三星推出的Flashbolt HBM2E产品预计会在今年上半年进行量产,单组记忆体最大容量为16GB,在超频模式下更可让单一针脚传输频宽增加至4.2Gbps,单组堆叠记忆体的最大传输频宽则可达538GB/s。



   

固态储存协会 (JEDEC)稍早宣布第三版HBM2记忆体标准JESD235C,将使针脚传输频宽增加至3.2Gbps,相比先前版本的2Gbps、2.4Gbps约提升33%,同时以单组DIE可对应2GB储存容量,并且可对应堆叠12组DIE的情况,意味单组堆叠容量可达24GB,搭配1024位元传输频宽,最高可实现410GB/s传输频宽,若搭配可支援4组堆叠记忆体的GPU,即可发挥高达1.64TB/s传输频宽,意味可让GPU在短时间内对应处理更大影像资讯量。

 

 

而运作电压部分,第三版HBM2记忆体标准与第二版设计同为1.2V,相比第一代设计采1.35V更为省电。

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在单一堆叠容量即可达24GB,若是搭配可支援4组堆叠记忆体的GPU,则可支援高达100GB记忆体容量,对于处理庞大影像资讯量的专业绘图卡,应用在电影特效,或是进行复杂科学分析研究,将会更加有利。

 

目前包含三星与海力士都已经着手生产采第三版标准设计的HBM2记忆体,并且以HBM2E形式为称,其中由三星推出的Flashbolt HBM2E产品预计会在今年上半年进行量产,单组记忆体最大容量为16GB,在超频模式下更可让单一针脚传输频宽增加至4.2Gbps,单组堆叠记忆体的最大传输频宽则可达538GB/s。



 

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